IT之家6月16日消息，韩国媒体the bell当地时间本月12日报道称，在HBM市场处于领先地位的SK海力士调整了下代1c nm（第6代10nm级）DRAM内存量产线的设备采购节奏，暂缓新技术应用。
SK海力士现在的主力HBM产品HBM3E和即将量产的HBM4均基于1b工艺的DRAM，未来的HBM4E才会导入1c制程。
SK海力士凭过往产品表现在HBM市场建立起良好声誉，以英伟达为代表的AI芯片企业对其HBM内存有着庞大需求；另一方面，HBM的盈利能力也明显优于传统DRAM。这是SK海力士专注于扩大1b DRAM产能的两大原因。
IT之家注意到，SK海力士在三大内存原厂中率先完成1c nm的DDR5开发，实现了11%的速度改进和9%的能效改进，不过该企业在1c nm LPDDR5x的进度上被美光反超。
